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A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN2300U
1.2
1.0
0.8
I D = 1mA
2.0
1.6
1.2
T A = 25°C
0.6
I D = 250μA
0.8
0.4
0.2
0.4
0
-50 -25
0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 10 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1,000
100,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 11 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 125°C
10,000
T A = 150°C
100
1,000
T A = 125°C
T A = 85°C
100
T A = 85°C
T A = 25°C
10
T A = 25°C
T A = -55°C
10
T A = -55°C
1
2
4
6 8 10 12 14 16 18
20
1
2
4 6 8 10 12
8
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.13 Leakage Current vs. Gate-Source Voltage
6
4
2
0
V DS = 15V
I D = 1A
0
0.5 1 1.5 2 2.5
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 14 Gate-Charge Characteristics
3
DMN2300U
Datasheet number: DS35309 Rev. 2 - 2
5 of 7
www.diodes.com
July 2011
? Diodes Incorporated
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